专利名称：原子层沉积方法和原子层沉积设备专利类型：发明专利
发明人：古尔特基·S·桑赫,特鲁格·特里·多恩申请号：CN03823818.7申请日：20030926公开号：CN1689139A公开日：20051026
摘要：本发明提供了一种原子层沉积方法，包括将多个半导体晶片放置进原子层沉积室内。沉积前体被与容纳在沉积室中的各个晶片相关联的各个气体入口喷射出，以在容纳在沉积室中的晶片上形成相应的单层。在形成单层后，吹扫气体被从与容纳在沉积室中的各个晶片相关联的各个气体入口喷射出。原子层沉积设备包括低于大气压的装载室、低于大气压的传递室和多个原子层沉积室。还披露了其他的方面和实施方式。
申请人：微米技术有限公司
地址：美国艾达荷
国籍：US
代理机构：中科专利商标代理有限责任公司
代理人：宋合成
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